HJT 电池，又称异质结电池，选用 N 型硅片衬底，工艺过程精简，仅有制绒清洗、非晶硅薄膜堆积、TCO 薄膜堆积和电极金属化四道工序。得益于 N 型硅衬底以及非晶硅对基底外表缺点的两层钝化效果，HJT 电池量产功率遍及已在 24% 以上，未来叠加 IBC 和钙钛矿技能，转化功率有望提升至 30% 以上。HJT 电池对 LID 效应免疫，能有很大成效防止 PID 产生，首年衰减仅 1 - 2%，尔后每年衰减 0.25%，全生命周期每 W 发电量高出双面 PERC 电池约 1.9% - 2.9%。从出资本钱来看，HJT 虽短期本钱比较高，但中长期降本空间宽广。
